Folosim "cookies" pentru a va oferi cea mai placuta experienta de navigare. Avem nevoie de acordul tau explicit pentru folosirea de "cookies". Aflati detalii aici
Seif Yale Standard Birou YSV/390; Alcatuit din otel; Tastatura digitala programabila si usor de operat; Prevazut cu orificii pentru fixare si bolturi de prindere incluse; Ideal pentru pastrarea documentelor importante sau a cheilor intr-un loc sigur si la
Seif Yale Standard tip Laptop YLV/200; Tastatura digitala programabila si usor de operat; Alcatuit din otel; Prevazut cu orificii pentru fixare si bolturi de prindere incluse
Locația dispozitivuluiModul Plug-inFactor de formăM.2 22x80mmCapacitatea SSD4 tbSuportă canalul de dateNVMe PCIe® Gen4Tehnologia memoriei3D NANDAccesorii incluseDocumentațieCuloare externăBlackRata maximă de citire consecutivă7000 MBpsRata maximă de scrie
Locația dispozitivuluiInternFactor de formăM.2 22x80mmCapacitatea SSD512 GBSuportă canalul de dateNVMe PCIe® Gen3Rata maximă de citire consecutivă3300 MBpsRata maximă de scriere consecutivă2400 MBpsGaranția produselelor returnabileDaTermen de garanție (o
Locația dispozitivuluiInternFactor de formăM.2 22x80mmCapacitatea SSD256 GBSuportă canalul de dateNVMe PCIe® Gen3Rata maximă de citire consecutivă3000 MBpsRata maximă de scriere consecutivă1300 MBpsGaranția produselelor returnabileDaTermen de garanție (o
Locația dispozitivuluiInternFactor de formăM.2 22x80mmCapacitatea SSD1 tbSuportă canalul de dateNVMe PCIe® Gen3Rata maximă de citire consecutivă3300 MBpsRata maximă de scriere consecutivă3000 MBpsGaranția produselelor returnabileDaTermen de garanție (o lu
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare256 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate240000 IOPSMaximum Random Wr
Factor de forma2.5"Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Random Read Rate90000 IOPSMaximum Random Write Rate87000 IOPSMaximum Sequential
Locatia dispozitivuluiPlug-in ModuleFactor de forma2.5"Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Random Read Rate90000 IOPSMaximum Random Writ
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate75000 IOPSMaximum Rando