Folosim "cookies" pentru a va oferi cea mai placuta experienta de navigare. Avem nevoie de acordul tau explicit pentru folosirea de "cookies". Aflati detalii aici
Camera de supraveghere Hikvision TURRET HWT-T150-P-28 quality imaging with 5 MP, 2560 × 1944 resolution , 2.8MM fixed focal lens, 20 m IR distance for bright night imaging, Color: 0.01 Lux @ (F2.0, AGC ON), 0 Lux with IR, STD/HIGH-SAT,Brightness, Sharpne
Detector de fum cu baterie, HONEYWELL R200S-2;Memorie alarmă,Durată de serviciu / garanţie de 10 ani; Autotestare automată; Starea de eroare oprită pentru 9 ore;Notifi care sonoră:dispozitiv acustic cu 85 dB - 3 m; Clasă de protecţie:IP20; Tip de baterie:
Detector Stand alone CO Honeywell R200C-2; Memorie alarmă,Durată de serviciu / garanţie de 10 ani;"ALARMĂ" roşie pentru persoane hipoacuzice sau cu deficienţe auditive; Alarmă oprită pentru 10 minute; Starea de eroare oprită pentru 9 ore; Grad d
Bateriile alcaline Rombat se comercializează la cutie colectiva de 12 blistere a câte 4 bucăți. ➢ Tensiune nominală: 1,5V ➢ Temperatură de operare: -30~50ºC ➢ Capacitate nominală: 2220 mAh (43Ω 4h/zi 0,9 V) ➢ Durata de viaţă la raft (depozitare fără utili
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate75000 IOPSMaximum Rando
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare128 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate70000 IOPSMaximum Rando
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCI Express 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate160000 IOPSMaximum Random Write Ra
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Rat
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Rat
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare120 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii in
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5"Capacitate de stocare240 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluseScur
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare480 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii in
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5"Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorie3D NANDFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluseDocumenta
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5"Capacitate de stocare960 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluseScur
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read R