Folosim "cookies" pentru a va oferi cea mai placuta experienta de navigare. Avem nevoie de acordul tau explicit pentru folosirea de "cookies". Aflati detalii aici
Seif Yale Standard Birou YSV/390; Alcatuit din otel; Tastatura digitala programabila si usor de operat; Prevazut cu orificii pentru fixare si bolturi de prindere incluse; Ideal pentru pastrarea documentelor importante sau a cheilor intr-un loc sigur si la
Seif Yale Standard tip Laptop YLV/200; Tastatura digitala programabila si usor de operat; Alcatuit din otel; Prevazut cu orificii pentru fixare si bolturi de prindere incluse
Detector de fum cu baterie, HONEYWELL R200S-2;Memorie alarmă,Durată de serviciu / garanţie de 10 ani; Autotestare automată; Starea de eroare oprită pentru 9 ore;Notifi care sonoră:dispozitiv acustic cu 85 dB - 3 m; Clasă de protecţie:IP20; Tip de baterie:
Detector Stand alone CO Honeywell R200C-2; Memorie alarmă,Durată de serviciu / garanţie de 10 ani;"ALARMĂ" roşie pentru persoane hipoacuzice sau cu deficienţe auditive; Alarmă oprită pentru 10 minute; Starea de eroare oprită pentru 9 ore; Grad d
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate75000 IOPSMaximum Rando
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare128 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate70000 IOPSMaximum Rando
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCI Express 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate160000 IOPSMaximum Random Write Ra
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Rat
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Rat
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read R
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare1.02 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate75000 IOPSMaximum Rand
Confectionata din ABS gri si usa mata, permite realizarea conexiunilor precum si montarea unor echipamente in mediul exterior. Montare aparenta cu ajutorul clemelor incluse. Contraplaca metalica galvanizata inclusa. Certificare TUV Rheinland.