Folosim "cookies" pentru a va oferi cea mai placuta experienta de navigare. Avem nevoie de acordul tau explicit pentru folosirea de "cookies". Aflati detalii aici
SSD CORSAIR MP600 PRO XT Capacitate 2TB M.2 2280 NVME PCIE GEN4 x4
Viteza de scriere: pana la 6800MB/s Viteza de citire: pana la 7100MB/s
Temperatura de functionare: 0-70°C Temperatura de stocare: -40-85°C
Voltaj: 3.3V +/-5%
SSD CORSAIR MP600 CORE XT, Capacitate 2TB M.2 2280 NVME PCIE GEN4 x4 Viteza de scriere: pana la 4400MB/s Viteza de citire: pana la 5000MB/s Temperatura de functionare: 0-65°C Temperatura de stocare: -40-85°C Voltaj: 3.3V +/-5%
SSD CORSAIR MP600 PRO NH Capacitate 8TB M.2 2280 NVME PCIE GEN4 x4
Viteza de scriere: pana la 6100MB/s Viteza de citire: pana la 7000MB/s
Temperatura de functionare: 0-65°C Temperatura de stocare: -40-85°C
Voltaj: 3.3V +/-5%
SSD CORSAIR MP600 PRO LPX Capacitate 1TB M.2 2280 NVME PCIE GEN4 x4 Viteza de scriere: pana la 5800MB/s Viteza de citire: pana la 7100MB/s Temperatura de functionare: 0-70°C Temperatura de stocare: -40-85°C Voltaj: 3.3V +/-5%
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate75000 IOPSMaximum Rando
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare128 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate70000 IOPSMaximum Rando
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCI Express 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate160000 IOPSMaximum Random Write Ra
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Rat
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Rat